A Micron demonstrou um RDIMM DDR5 de 512 GB rodando em múltiplas plataformas de servidor, que chama de o primeiro módulo do mundo com essa capacidade, e diz que a AMD e a Intel estão validando-o para suas plataformas de servidor de próxima geração. O módulo é classificado para velocidades de até 9.200 MT/s e, em um servidor de soquete duplo de 24 slots, coloca 12 TB de DDR5 atrás de duas CPUs. A produção em volume está prevista para o segundo semestre de 2027.

Como a Micron chega a 512 GB em um módulo
A Micron empilha verticalmente matrizes DRAM dentro de cada pacote e as conecta com vias de silício (TSVs), a mesma abordagem de empilhamento de matrizes usada pela HBM. Empilhar mais matrizes por pacote dobra a capacidade por slot sem alterar o tamanho do módulo ou a contagem de DIMM do servidor, que é como um sistema de soquete duplo e 24 slots atinge 12 TB.

“A Micron continua a definir o ritmo da tecnologia de memória, oferecendo uma nova classe de memória de servidor ultradensa e de alto desempenho que ajuda os clientes a manter conjuntos de dados maiores mais próximos dos mecanismos de computação que precisam deles”, disse Raj Narasimhan, vice-presidente sênior e gerente geral da unidade de negócios de memória em nuvem da Micron. “Um RDIMM de 512 GB permite servidores de vários terabytes, suportando cargas de trabalho maiores de IA e de banco de dados, maior densidade de virtualização e maior eficiência de energia, tudo dentro do espaço de servidor existente.”

A classificação de 9.200 MT/s é outro número notável, bem além do teto DDR5-6400 para RDIMMs padrão nas plataformas Xeon 6 atuais, e o lançamento da Micron vincula o módulo às plataformas de próxima geração de ambos os fornecedores de CPU, de modo que a velocidade e a capacidade parecem chegar junto com o ciclo de servidor de 2027. Os RDIMMs da Micron povoaram muitos dos sistemas Xeon 6 e EPYC em nosso laboratório, e seus MRDIMMs ficaram atrás do recorde de benchmark de risco financeiro da HPE estabelecido no início deste ano com os MRDIMMs Intel Xeon 6980P e Micron.

Um módulo de 512 GB contra quatro módulos de 128 GB
A afirmação de eficiência da Micron é que um único RDIMM de 512 GB reduz a energia operacional em mais de 60% em comparação com quatro RDIMMs de 128 GB com a mesma capacidade total. 16W para o módulo de 512GB contra 44,2W para os quatro módulos de 128GB combinados, uma redução de 63,8%, ou cerca de 31mW por gigabyte contra 86mW. A comparação pressupõe um servidor que possui quatro slots livres para gastar na alternativa; o caso mais comum é um servidor que ficou sem slots, onde o módulo de 512 GB é a única maneira de adicionar capacidade. O argumento da densidade é significativo em muitos casos de uso, e é um ponto semelhante que defendemos recentemente em relação à solução de armazenamento e memória de alta densidade da Micron.

No desempenho, a Micron cita um rendimento até 1,4x maior para cargas de trabalho vinculadas à memória, como análise de dados baseada em Spark SVM, em comparação com configurações DDR5 de 256 GB, e diz que o módulo melhora o rendimento e a simultaneidade para bancos de dados com uso intensivo de memória e plataformas de cache, incluindo RocksDB e Redis.

AMD, Intel e uma voz inicial do cliente
Ambos os fornecedores de CPU forneceram instruções de validação. “Nossa estreita colaboração de engenharia com a Micron reúne inovação em computação e memória para ajudar os clientes a aproveitar todo o valor das plataformas alimentadas pela AMD”, disse Amit Goel, vice-presidente corporativo de Engenharia de Soluções de Plataforma de IA Corporativa e Computação da AMD. Karin Eibschitz Segal, gerente geral de plataforma e engenharia de sistemas no Grupo de Data Center da Intel, disse que a Intel “está trabalhando em estreita colaboração com a Micron para validar seu RDIMM DDR5 de 512 GB e ajudar a habilitar futuras plataformas de servidor projetadas para atender às demandas crescentes das cargas de trabalho de data center da próxima geração”.

O comunicado também traz uma citação do cliente de Darrin Alves, diretor de informações para plataformas de infraestrutura do JPMorganChase, que disse que a memória de maior capacidade “ajudará as empresas a suportar cargas de trabalho maiores na memória, melhorar a utilização de recursos e aumentar a flexibilidade necessária para dimensionar ambientes de computação modernos”. Bancos de dados na memória, virtualização em grande escala e inferência do lado da CPU para LLMs e cargas de trabalho de agente são os casos de uso de nomes Micron, todos controlados pela quantidade de dados que um servidor pode conter na memória principal antes de serem transferidos para o armazenamento.

Tempo
A meta de produção do segundo semestre de 2027 prevê o lançamento do RDIMM de 512 GB em um ano ou mais. Em agosto, a Micron e a SK Hynix anunciaram compromissos multibilionários para a expansão da capacidade de memória, embora pouco dessa nova capacidade esteja disponível antes de 2028, então o módulo chega na mesma janela que a saída do wafer que utilizará.

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