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A dificuldade de atingir maiores densidades no fator de forma E3.S se resume a alguns desafios principais:
- Restrições de espaço físico: O fator de forma E3.S é otimizado para melhor fluxo de ar e gerenciamento térmico em comparação com as unidades tradicionais de 2,5 polegadas.Isso torna a montagem de mais pacotes flash NAND e circuitos de controle necessários desafiadores sem sacrificar o gerenciamento de calor ou desempenho.
- Gestão térmica: SSDs de alta densidade geram mais calor, dificultando a dissipação em um fator de forma compacto.Assim, equilibrar a densidade com soluções térmicas é um desafio significativo.
- Consumo de energiaConforme a capacidade aumenta, as necessidades de energia também podem aumentar.A unidade S que pode suportar alta capacidade enquanto permanece dentro dos limites aceitáveis de potência e resfriamento para racks de data center pode ser complicada.
Enquanto a unidade E3.S se destaca por sua capacidade e corpo fino, a Micron oferece uma unidade E1.L e U.2.Serviço de servidores corporativos mais tradicionais com U.2 baías e hyperscalers com E1.L. Todas as unidades possuem um design verticalmente integrado, com Micron DRAM, NAND, controlador e firmware interno.
Especificações do SSD Micron 6550 ION
| Características | Detalhes |
| Tecnologia | Micron G8 TLC NAND |
| Factores de forma | E3.S-1T (7,5 mm), U.2 (15 mm), E1.L (9,5 mm) |
| Capacidades | 30.72TB 61.44TB (mesmas especificações de desempenho para todos os SKUs) |
| 128K Seq Reads, QD128 | 12,000 MB/s |
| 128K Seq Escreve, QD128 | 5,000 MB/s |
| 4K Random Reads, QD512 | 1,600, 000 IOPS |
| 4K Random Writes, QD128 | 70, 000 IOPS |
| Resistência (para 5 anos de garantia) |
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| Potência |
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| Confiabilidade
(UBER = taxa de erro de bits incorrigível) |
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| Características |
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| Garantia | 5 anos |
Micron 6550 ION Validação do desempenho sintético
Com o Micron 6550 ION no Laboratório de Revisão de Armazenamento, colocamos a versão U.2 da unidade através dos passos dentro de uma plataforma de teste Dell PowerEdge R760.,que pudemos validar nos nossos testes, juntamente com o SSD Solidigm P5336 61.44TB baseado em QLC, o único SSD amplamente disponível neste ponto de capacidade.
Juntamente com a validação de desempenho que realizamos no Micron 6550 ION, testamos os estados de potência para restringir a potência consumida pelo Micron 6550 ION.Enquanto todos os dispositivos NVMe podem ser operados sem restrições (consumindo até 25W de energia), os SSDs NVMe suportam a redução do uso de pico para economizar em consumo de energia. A redução da energia pode afetar significativamente o desempenho de algumas unidades, mas o Micron 6550 ION é otimizado para menor consumo de energia,oferecendo desempenho do centro de dados dentro de um envelope de energia menor.
Antes de começarmos nossos testes de desempenho, colocamos o Micron 6550 ION no modo PS1 e deixamos o Solidigm P5335 no modo PS0 ou sem restrições.que variam de 25W no máximo até apenas 10W no extremo inferior. PS1 define o consumo máximo de energia neste SSD para 20W. Em comparação, o Solidigm P5336 suporta três estados de potência (PS0 para PS2), que variam de 25W a 10W em incrementos de 5-10W.
Cada SSD foi submetido a uma carga de trabalho de pré-condição sequencial de 128K para esta comparação de desempenho, onde as unidades foram preenchidas duas vezes.As unidades foram testadas para desempenho de leitura e gravação sequencial de 128K enquanto no estado pré-condicionadoA carga de trabalho foi então mudada para uma pré-condição aleatória de 16K para dois enchimentos de disco, e os testes de leitura e gravação de 16K restantes foram concluídos.
| Tamanho do bloco | Operação | Micrônio de consumo médio de potência no estado de potência PS1 | FIO Carga de trabalho | Desempenho esperado de ION de 6550 Microns | Performance ION de micrões 6550 medida | Performance do solidigma medido P5336 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 16KB | Leitura aleatória | 17.9 W | 8T/256Q | > 700k PIO > 11,2 GB/s |
11.6 GB/s 707k PIO |
7.4 GB/s 454k PIO |
| 16KB | Escrever aleatoriamente | 17.5 W | 2T/1Q | > 70k PIO > 1,1 GB/s |
1.4 GB/s 85.4k PIOs |
850 MB/s 51.9k IOPs |
| 128KB | Leitura sequencial | 17.5 W | 1T/64Q | > 12 GB/s | 12.7GB/s | 7.5 GB/s |
| 128KB | Escrever em sequência | 17.5 W | 1T/16Q | > 5 GB/s | 8.2 GB/s | 3.2 GB/s |
O ION Micron 6550 no nosso laboratório manteve o alinhamento com o desempenho ION Micron 6550 citado e, em alguns casos, excedeu a folha de especificações da Micron.
Na nossa carga de trabalho de leitura aleatória de 16K, o Micron 6550 ION manteve 11,6GB/s, em comparação com 7,4GB/s do Solidigm P5536.O Micron 6550 ION poderia oferecer 1.4GB/s, mais de 850MB/s do P5336.Mudança para gravação sequencial de 128K, o Micron 6550 ION mediu 8,2 GB/s contra 3,2 GB/s do Solidigm P5336.
Comparando-o com o Solidigm P5336, notamos muitas áreas onde a interface Gen5 mais nova no Micron 6550 ION se sobressaiu sobre a interface Gen4 no P5336, o que é esperado.A diferença entre Gen4 vs.. As unidades Gen5 se relacionam com a quantidade de largura de banda que cada unidade pode empurrar através do fio. A interface PCIe Gen4 com quatro faixas de conectividade é capaz de cerca de 7 GB / s,enquanto a mais recente interface PCI Gen5 duplica isso com 14GB/sO uso da TLC NAND pela Micron dá-lhe outra vantagem de projeto sobre os concorrentes baseados em QLC.
Micron 6550 ION AI Desempenho da carga de trabalho
As cargas de trabalho da IA têm pressionado os administradores exigindo servidores de alto desempenho e eficiência energética superior.A Micron posicionou o 6550 ION contra o Solidigm P5336 para mostrar suas capacidades usando quatro cargas de trabalho distintas: NVIDIA(R) Magnum IO(TM), treinamento e captura Unet3D e ponto de verificação de modelos de IA.Os testes GPUDirect Storage (GDS) permitem a transferência direta de dados entre o armazenamento e as GPUs, ignorando a memória da CPU e reduzindo a sobrecarga e a latência do movimento de dados.
Conclusão
Sandy Yang, Diretora Global de Estratégia
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E-mail: yangyd@qianxingdata.com
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Foco em Negócios:
Distribuição de produtos TIC/Integração de sistemas e serviços/Soluções de infraestrutura
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