Kioxia e SanDisk começaram a testar seus chips de memória BiCS 3D NAND de décima geração e 332 camadas.
Os novos chips TLC de 1 Tbit (3 bits por célula) foram projetados para implantação de SSD em empresas e data centers. Esta nova iteração sucede à memória flash BiCS 8 de 218 camadas. Além de um aumento de 52% nas camadas de empilhamento, a dupla adotou duas atualizações importantes: tecnologias CMOS diretamente ligadas ao array (CBA) e On-Pitch Select Gate Drain (OPS). O processo CBA fabrica wafers de células lógicas e NAND separadamente antes de uni-los, enquanto o OPS reduz o comprimento da linha de bits e reduz a capacitância da linha de palavras, eliminando buracos de memória redundantes.
O dimensionamento lateral aprimorado e 114 camadas adicionais empilhadas aumentam em conjunto a densidade celular do chip. Sua velocidade de interface de 4,8 Gbit/s é 33% mais rápida que a geração anterior do BiCS 8. Kioxia também confirma uma eficiência de energia de gravação 18% melhor e uma eficiência de energia de leitura 30% melhor, reduzindo efetivamente o consumo geral de energia.
A tecnologia BiCS 9 intermediária da Kioxia aproveita células NAND BiCS 8 3D de 218 camadas emparelhadas com uma camada lógica CMOS independente, oferecendo melhor desempenho do que o circuito BiCS 8 original. Equipado com interface Toggle DDR6.0 e protocolo Separate Command Address (SCA), o BiCS 10 atinge uma taxa de transferência de 4,8 Gbit/s, representando a mesma atualização de velocidade de 33% em relação ao BiCS 8.
BiCS 10 NAND da Sandisk e Kioxia
A produção em massa do BiCS 10 está programada para ser lançada no próximo ano na fábrica japonesa Kitakami 2, na província de Iwate. Como parte de sua joint venture, ambas as empresas compartilham a produção da fábrica e atualmente enviam amostras do BiCS 10. A plataforma de 332 camadas também suporta variantes futuras de QLC (4 bits por célula), que podem aumentar a capacidade do chip em um terço. A arquitetura BiCS 10 empilha três conjuntos de strings NAND de mais de 100 camadas, em vez de adotar um design de chip monolítico de 332 camadas.
Kioxia prevê uma forte demanda sustentada de NAND, impulsionada pela crescente popularidade da IA agente e da robótica alimentada por IA. O CEO Hiroo Ota sinalizou a potencial expansão da capacidade durante um evento de mídia japonês, afirmando que a empresa atenderá totalmente ao crescimento contínuo do mercado.
No cenário competitivo, o 3D NAND de nona geração da SK Hynix apresenta 321 camadas com uma estrutura de empilhamento de três cordas. O V NAND de décima geração da Samsung atinge 400 camadas, adotando uma arquitetura Cell-on-Periphery (CoP) com lógica separada e wafers de memória para produzir matrizes de 1 Tbit, semelhante ao design de Kioxia. A Micron oferece atualmente NAND de 276 camadas, sem atualizações oficiais sobre o roteiro de camadas futuras. A YMTC da China está preparada para lançar sua tecnologia 3D NAND de classe de 300 camadas em um futuro próximo.
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